日前韓媒報道稱，臺積電再度將3納米芯片量產時程延後三個月。對此，臺積電表示，3納米制程的發展符合預期，良率高，將在第4季稍後量產。據臺媒《經濟日報》報道，業界人士指出，韓媒之所以用“再度延後”的字眼，應與臺積電最初釋出“3納米預計2022年下半年量產”的說法有關，韓媒可能認為“2022年下半年”指的是7月。
此前臺積電總裁魏哲傢在第三季度法說會上表示，客戶對3納米的需求超越臺積電的供應量，明年將滿載生產。
臺積電正與設備供應商緊密合作，為3納米制程準備更多產能，以支持客戶在明年、2024年及未來的強勁需求。另外，魏哲傢指出，3納米需求超乎預期，預估明年3納米營收占比約為4-6%。
程方面，目前研發進展順利，將如期在2025年量產。N2采用納米片（Nanosheet）晶體管結構，可提供最好性能、成本、技術成熟度。由於納米片技術展現絕佳能源效率，N2性能及功耗效率可提升一世代，滿足日益增加的節能運算需求
業界指出，為因應客戶訂單的強勁需求，臺積電擴產的3納米制程將可望逐步到位，預期今年臺積電3納米制程產能將可望將近倍數成長，且產能利用率有望一路旺到年底。AI、HPC需求目前正快速高漲，當中又以英偉達的HPC芯片投
，典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是納米線溝道設計，溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。相比之下，傳統的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構的晶體管提供比FinFET 更好
28納米制程的開發費用大約為5130萬美元，16納米制程需要投入1億美元，5納米制程費用達到5.42億美元。如果按照接近兩倍漲幅測算，在2納米制程上，開發費用可能會將近20億美元。原標題：2納米芯片，巨頭的金錢競賽文 | 陳伊凡
世界著名的半導體巨頭三星，宣佈瞭一條大新聞。基於3納米（nm）制程的芯片，正式量產瞭！在紙面參數上，可謂是實現瞭質的飛躍——性能猛提30%，功耗猛降50%，面積也減少瞭35%。來源：新智元中間三位大咖抱的可不是普通的
位，屆時HighNAEUV機器可望成為全球三大晶圓制造廠搶進2納米以下先進制程的必備武器。媒體報道，ASML近期對外秀出High NA EUV光刻機設備，一臺要價3.5億歐元，大小等同於一臺雙層巴士，重量更高達150公噸，相較於兩架空中巴士A3
終於被打破。美國芯片公司Marvell表示，公司基於臺積電3納米(3nm)工藝打造的數據中心芯片正式發佈。據Marvell介紹，公司在該節點中的業界首創矽構建模塊包括 112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 Ser
由於三星3納米GAA制程技術晶圓良率仍不理想，高通下一代處理器驍龍8Gen4將取消臺積電、三星雙代工戰略，改由臺積電獨傢代工。臺積電的法人還預估，由於高通、英偉達等大客戶爭先使用，臺積電明年下半年的3納米月產能有
提前達到10萬片。臺積電計劃於2025年推出2nm制程，將采用納米片工藝。該公司已經啟動2nm試產的前置作業，預計導入最先進AI系統來加速試產效率，目標是今年試產近千片，試產順利後，將導入後續建設完成的竹科寶山Fab 20廠。
，環比增長16.9%；營業利潤2621.2億元臺幣，同比增長80%。3納米制程將在下半年投產利潤率方面，臺積電二季度毛利率59.1%，超過公司預期56%~58%，創下歷史新高；營業利潤率49.1％，也超過公司預期的45%~47%。第二季度每股稅後純利
一個是英特爾，一個是德州儀器（TI），一個做數字邏輯芯片，一個做模擬芯片，這兩傢都是各自領域的龍頭。但它們最近今幾年的日子似乎都不太好過，特別是德州儀器，無論是市值，還是營收、利潤，或是業務拓展能力，與
要低得多，估計在10-20％左右，而且一直沒有明顯改善，芯片質量也參差不齊。對於這樣的說法，韓國方面是絕對不服的。1月10日消息，根據韓國經濟日報的報道，市場消息人士表示，三星目前已經大幅提高其最尖端的3nm制程的
是因為其使用臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構和納米片晶體管，將供電接口轉移至芯片背面，在正面釋放出更多的佈局空間，有效提升邏輯密度和效能。相比於N2P工藝，A16在相同工作電壓下速度快8-10%，或者在相同速度下
業的未來將是美國制造。」拜登說。拯救摩爾定律，要靠納米級芯片？按照摩爾定律，集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔兩年便會增加一倍。然而近年來，一些業內人士認為，摩爾定律將不再適用。根據中國工程院院刊的