據國內媒體報道稱，中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍今日發表的主題演講中提到，國產半導體還有很長的路要走。盡管今年中國集成電路設計業在極其困難的外部環境下取得8%的增長，但是有相當一部分企業，甚至是很大一部分上市企業的處境並不樂觀。
企業大面積出現虧損已經成為2023年設計業的一個不能回避的事實。在與企業的日常交往中，協會解到虧損的主要原因是由於前兩年產能緊張，花不少資源去搶產能，庫存積壓嚴重。
魏少軍指出，這暴露出我們的企業在市場大潮中還需要進一步磨礪，提升對市場、對需求的把控能力避免盲目跟風，降低風險。
值得一提的是，魏少軍還重申，國產半導體要註重技術積累，持續提升設計能力。
著力創新技術，降低對工藝技術進步和EDA工具的依賴和能夠用14nm，甚至28nm做出7nm的產品性能才是真正的高手，長江存儲和Mate 60都是很好的例子。
ICCAD）上，中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍談及國產芯片設計時表示，當前中國集成電路設計業正在向高端邁進，但主流還處在中低端，高端芯片的研發隻屬於少數有實力的企業。魏少軍表示，要降低對工藝
拉開帷幕。中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍教授為大會作題為《提升芯片產品競爭力》的主旨報告，以下為報告主要內容：一、2023年設計業總體發展情況根據公佈的統計數據顯示，截至目前，國內涉及的集
受到影響？目前，這一切都還不清楚。美光也並未對此事做出回應。受該消息影響，當地時間3月31日，美光股價下跌4.36%收盤。對美光及相關中國廠商有何影響？根據美光的財報顯示，2022財年美光來自中國客戶的銷售收入占比為
先進節點（<=7nm）代工產能的總和。如果華虹、華力、長江存儲、長鑫存儲等本土企業的所有存量DUV設備都被中芯國際調用，那麼他們所能建設的7nm產能將甚至遠超臺積電。此外，Patel還認為光刻膠和光刻機關鍵零部件目前並
8月2日，國產閃存制造商長江存儲在2022年閃存峰會（FMS）上宣佈，正式推出基於晶棧?3.0（Xtacking?3.0）技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。消息顯示，該3DNAND閃存堆疊層數或已達到業界領先的232層。長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070據
起，從而大大提升存儲密度、I/O速度。是的沒錯，妥妥的長江存儲晶棧Xtacing 3.0技術的既視感。根據官方數據，新閃存的NAND I/O接口傳輸速度達到3.2Gbps，比上代提升多達60％，同時在寫入性能、讀取延遲方面改善20％，整體性能、
7月25日，長江存儲宣佈旗下首款企業級PCIe4.0SSD——PE310系列。消費級、嵌入式之後，長江存儲再次拓展產品佈局，正式進入高端企業級固態存儲市場，具備高性能、高耐用等級、低功耗、多檔位功耗與性能管理等特點，適用於大
30℃環境下穩定保存數據1年之久。可以說，QLC閃存已經到真正可以普及的新階段，尤其是長江存儲的QLC，完全可以讓普通消費者乃至企業級客戶都放心長期使用，無論性能還是壽命都無需任何顧慮。
據報道，知情人士今日稱，中國存儲芯片長商“長江存儲”在武漢的第二座工廠最早將於今年年底投產。此舉有望進一步縮小長江存儲與三星和美光在技術和產量方面的差距。在經歷瞭突飛猛進的增長後，長江存儲急需擴大產能
當地時間9月9日，有消息稱蘋果正評估從長江存儲采購NAND芯片用於在中國銷售的部分iPhone。據《金融時報》報道，美國共和黨議員警告蘋果，如果該公司從一傢中國半導體制造商那裡為新款iPhone14采購存儲芯片，但這可能會導致
正舉行的2022閃存峰會（FMS）上，長江存儲正式發佈基於晶棧（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。長江存儲介紹，相比上一代產品，X3-9070可實現2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規范，實現50%的性能提升。同時，X3-9070也是
與長江存儲的合作，轉而向其他存儲廠商購買。三星借機做出提高3D NAND Flash價格的決定。TrendForce第三季度數據顯示，由於消費電子產品及服務器的出貨量低於預期，導致 NAND 閃存的出貨量與平均價格雙雙下滑，NAND 閃存的銷售
別的30%或更多。它正在逐步建立其國內能力，且國內仍有長江存儲與長鑫存儲作為領先的NAND閃存生產商和DRAM制造商。2022年按地域劃分的半導體存儲器銷售額Yole估計中國的內存自給率不到15%。文章認為，蘋果關於長江存儲可以
中國最大的NAND閃存制造商長江存儲（YMTC）已成功籌集折合數十億美元的新資金，以適應具有挑戰性的來自美國的貿易限制。據英國《金融時報》報道，12月被列入貿易黑名單並被禁止采購美國設備生產芯片的長江存儲科技有限