供應鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。
靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業利潤達到6.606萬億韓元。
財報顯示，三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元，環比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。
三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生成式人工智能對於DDR5和NAND Flash的需求強勁，這也是行業漲價的大邏輯。
此外，專傢也直言，就個人電腦和移動設備市場整體而言，DRAM和NAND Flash的需求也在持續增長，主要是在中國的移動設備OEM客戶的推動下，需求保持強勁。
四季度，三星就開始率先對其存儲芯片進行漲價。據此前消息顯示，三星在去年四季度對NAND Flash芯片報價上調10%至20%之後，又在今年一季度和二季度再逐季漲價20%，漲價幅度遠超乎業界預期。在漲價的同時，三星還對於NAND Flash
當地時間周四，全球第二大內存芯片制造商SK海力士發佈強勁的第一財季財報。SK海力士預計，隨著人工智能相關需求的激增，內存芯片市場將全面復蘇。不過，盡管SK海力士財報表現強勁，但周四早些時候，美股科技巨頭Meta的
域被一傢相對名不見經傳的韓國公司統治著，它就是SK海力士。目前來看，人工智能（AI）浪潮最大的受益者之一當屬英偉達，其最尖端的H100芯片已供不應求。但是一般人可能不知道，這種最先進AI芯片還依靠著一種專用存儲芯
“史無前例”的危機。彼時，三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創下有史以來最大虧損、美光科技、西部數據等存儲大廠庫存持續攀升，存儲芯片價格也跌入谷底。存儲“寒冬”之下，2023年幾傢存儲大廠集體經營虧損預估達破紀錄
，SK 海力士也意識到從客戶角度證明其價值的重要性。好消息是，與 SK 電訊的深度合作，為 SK 海力士提供一個千載難逢的早期機會。可知為有效處理大量數據，SK 電訊有開發、並在各種商業服務中運行自傢的 Lightning DB 內存數
，將於今年上半年開始量產該芯片。不過，投資者對這一消息並不感到驚訝。該公司股價當天僅上漲0.1%。自1月份下跌7.4%以來，其股價自2月份以來一直徘徊在73,000韓元左右。
英特爾將在印度建半導體工廠，英特爾否認據彭博9月7日消息，印度道路交通和公路部部長尼廷·傑拉姆·加德卡裡（Nitin Jairam Gadkari）當日表示，英特爾將在印度建立芯片制造廠。對此，據《路透社》最新報道，英特爾在一份聲
Gen2 產品系列的推出引起客戶的濃厚興趣和熱情。”最新消息顯示，英偉達正在規劃加入更多的HBM供應商，以完善和健全其供應鏈管理。除HBM3和HBM3e以外，HBM4預計將在2026年推出。目前，英偉達和其他CSP（雲端業者）在未來的產
在英特爾“IntelInnovation”峰會上，SK海力士在現場展示一些新的DDR5內存模塊。除DIMM和SO-DIMM，還有RDIMM的產品，更為罕見的是，出現48GB和96GB這樣非常規容量的DDR5內存。一直以來，內存容量大多都是以2次冪提高容量，比如4GB、8GB
一季度營業利潤同比大幅下滑，但對於三星電子來說，好消息是其智能手機業務表現良好，有助於支撐其整體的業績表現。Shinyoung證券估計，由於三星Galaxy 23智能手機的流行，三星電子專註於智能手機的移動體驗和網絡部門一季
早在2013-2015年，SK海力士和AMD就憑借第一代高帶寬內存（HBM）走在內存行業的前列，目前SK海力士在這一市場的份額仍處於領先地位。為保持和擴大自己的地位，SK海力士必須適應客戶的要求，尤其是人工智能領域的要求，為此，
場低迷而收縮業務規模的做法，顯得格外與眾不同。公開消息顯示，三星電子已決定，在2023年提升其存儲器和晶圓廠10%的產能。這些產能也有部分來自中國的三星新投資項目。1月12日，華爾街見聞從供應鏈解到，三星西安三期
言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。隨後SK海力士發佈公告稱，其最新的超高性能AI內存產品HBM3E已開始量產，並將從本月下旬起向客戶供貨。據介紹，在存儲半導體三大巨頭（三星電子、SK海力士、美光）中，SK海力
韓國芯片制造商SK海力士創史上最大季度虧損，全球科技產品需求下降導致內存芯片價格大跌。向蘋果公司供應內存芯片的SK海力士第四季度（截至12月末的三個月）錄得經營性虧損1.7萬億韓元（合14億美元），分析師平均預估為