在中國閃存市場峰會上，長江存儲展示他們的QLC閃存PE壽命，表現非常不錯。據悉，采用第三代Xtacking技術的X3-6070QLC閃存達到4000次P/E的擦寫壽命，是上代產品的4倍！要知道，常規的MLC閃存也隻能做到3000次左右。
據長江存儲的工作人員透露，他們的QLC閃存之所以能做到4000次P/E，一方面來自獨特的Xtackig精湛架構，另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。
當然，不是所有的QLC都有這麼高的水平，要看品質和良率。
在OEM領域，長江存儲的下一代PC41Q將引入QLC，可用於筆記本、臺式機、一體機等。
它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/s，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW，並擁有媲美TLC的高可靠性和數據保持能力，平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年之久。
近日的中國閃存市場峰會上，長江存儲展示一系列產品和技術解決方案。雖然因為種種原因，太多東西不能說，但依然有驚喜。比如新一代QLC3DNAND閃存，內部代號“X3-6070”，就有著極為優秀的素質，可滿足企業級、消費級、嵌
最高就隻能做到3000次，QLC的話一般不超過1000次。不過，長江存儲憑借獨特、優秀的Xtacking晶棧架構設計，走出屬於自己的特色道路，閃存壽命可靠性大大提升。比如長江存儲新一代的QLC 3D NAND閃存，內部代號“X3-6070”，就有著
地方法院最新公佈的信息解到，中國3DNAND閃存制造商——長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已於11月9日在美國加州北區地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費類產品事業部（MICRONCONSUMERPRODUCTSGROUP,LL
長江存儲早已低調推出創紀錄232層堆疊的新一代3D閃存，基於其創新的晶棧Xtacking3.0架構，TiPlus7100、Ti600等產品都已經用上，隻是因為某些原因，技術細節一直未公開。權威半導體機構TechInsights最近專門研究長江存儲的232層閃存
據外媒報道，盡管受到美國嚴格封鎖，但長江存儲並未輕言放棄，正在開發下一代晶棧Xtacing4.0架構的新型閃存，並已經基本就緒。長江存儲現有的晶棧Xtacking3.0有三種版本，其中X3-9060是128層的TLC，X3-9070是232層的TLC，X3-6070是128層
起，從而大大提升存儲密度、I/O速度。是的沒錯，妥妥的長江存儲晶棧Xtacing 3.0技術的既視感。根據官方數據，新閃存的NAND I/O接口傳輸速度達到3.2Gbps，比上代提升多達60％，同時在寫入性能、讀取延遲方面改善20％，整體性能、
7月25日，長江存儲宣佈旗下首款企業級PCIe4.0SSD——PE310系列。消費級、嵌入式之後，長江存儲再次拓展產品佈局，正式進入高端企業級固態存儲市場，具備高性能、高耐用等級、低功耗、多檔位功耗與性能管理等特點，適用於大
，光威(Gloway)宣佈推出新款PCIe4.0SSDUltimate系列，首次采用長江存儲128層堆疊3DTLCNAND閃存芯片。新品是標準的M.22280形態，基於長江存儲第三代閃存X2-9060，Xtacking2.0技術架構，性能強勁，品質可靠，素質過硬，具備更高的IO傳輸速度
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發佈瞭面向OEM市場的商用SSDPC300系列，可用於筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、
中國最大閃存芯片制造商長江存儲在美國起訴美光，後者侵犯專利。長江存儲在起訴書中提到，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟旨在解決以下問題的一個方面：美光試圖
。最後，官方新聞稿提到美光（Micron）、鎧俠（Kioxia）、長江存儲（YMTC）等 NAND 供應商，且阿裡雲已表示有興趣評估該平臺。
15日被美國商務部正式列入實體名單後，中國內存制造商長江存儲現在有可能在2024年前退出3DNAND閃存產品市場。從這一點出發，美國商務部將審查和批準與該國向長江存儲出口、再出口和銷售設備、技術和其他相關商品有關的個
據報道，知情人士今日稱，中國存儲芯片長商“長江存儲”在武漢的第二座工廠最早將於今年年底投產。此舉有望進一步縮小長江存儲與三星和美光在技術和產量方面的差距。在經歷瞭突飛猛進的增長後，長江存儲急需擴大產能
當地時間9月9日，有消息稱蘋果正評估從長江存儲采購NAND芯片用於在中國銷售的部分iPhone。據《金融時報》報道，美國共和黨議員警告蘋果，如果該公司從一傢中國半導體制造商那裡為新款iPhone14采購存儲芯片，但這可能會導致