東芯半導體：19nm閃存完成首輪流片 暫時不做3D閃存

今天美國針對中國大陸的半導體制造“設施”開發、生產或使用集成電路的限制規則正式生效。這也意味著美系半導體設備廠商將無法繼續向中國大陸的半導體制造商供應半導體設備、零部件及技術支持。昨天的消息也顯示，美

另一方面則是由於去年10月美國出臺的限制對華出口先進半導體制造設備，使得SK海力士設備采購受到影響。消息稱，SK未來甚至可能會考慮放棄後續工程，並出售該晶圓廠已建成的基礎設施。早在2020年10月20日，SK海力士就以90億

以規模較小的競爭對手SK海力士公司主導的全球人工智能半導體市場。3D為主導的DRAM芯片通過垂直互連單元而不是像目前那樣水平放置它們，能將單位面積的容量增加三倍。相比之下，高帶寬內存（HBM）垂直互連多個DRAM芯片。據

存儲芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導體投資擴產卻沒有停滯。全球存儲器市場結構怎樣？據英國市場追蹤機構Omdia統計數據顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%

瞭突飛猛進的增長後，長江存儲急需擴大產能，以在全球半導體市場進一步贏得份額。兩名知情人士稱，長江存儲當前的工廠一直在接近滿負荷運轉，2021年底每月生產10萬片晶圓。分析師預計，長江存儲去年的全球市場份額接近

。該補貼將根據政府指定計劃發放，旨在促進企業對尖端半導體生產設施的投資，確保日本半導體生產的穩定。這是 Kioxia 和 Western Digital 的合資生產設施第二次獲得日本政府的補貼。此前，位於四日市的合資生產設施已獲準在 2

經用上，隻是因為某些原因，技術細節一直未公開。權威半導體機構TechInsights最近專門研究長江存儲的232層閃存，發現它確實達到世界頂級水平。研究顯示，長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19

設項目清單》，共191項，中芯國際12英寸芯片項目、超矽半導體300mm集成電路矽片全自動智能化生產線等芯片制造相關項目赫然在列。▲2023年上海重大工程清單表中先進制造業分類中的芯片制造相關項目同日，深圳市寶安區發展

容量比2D時代大幅提升，DRAM內存還停留在2D，現在美國NEO半導體公司日前宣佈全球首款3D內存，旨在解決內存容量瓶頸，容量追上SSD不是問題。NEO是美國一傢存儲芯片技術公司，此前推出的3D X-NAND閃存號稱解決TLC、QLC閃存的性能

國兩公司掌控份額已超50%；3）印度稱英特爾將在印度建半導體工廠，英特爾否認；4）英特爾：Q4開始對全線主板芯片組進行漲價，幅度10-20％左右5）IC Insights：臺積電Q3有望超車三星，首登全球半導體龍頭；8月全球芯片交付時間

域過於耀眼的光芒，使人一度忘記英特爾最初是一傢存儲半導體廠商，是全球第一個將DRAM商業化的公司。英特爾成立於1968年，成立後推出的第一款產品就是雙極處理64位存儲器芯片，代號為3101。此後，英特爾又乘勝推出第一個

日本半導體工廠又遭遇停電導致停產的意外，這次中招的是東芝旗下的芯片工廠，公司表示事故是在設備檢修時發生的，停電導致部分正在生產的芯片受影響，預計9月17日恢復生產。此次停電停工的半導體廠為東芝集團“Japan Sem

米壓印技術（NIL）的芯片制造設備FPA-1200NZ2C，預計為小型半導體制造商在生產先進制程芯片方面開辟出一條全新的路徑。近日，佳能負責新型納米壓印設備開發的高管武石洋明對媒體表示，FPA-1200NZ2C將會在2024年至2025年間出貨。

Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規模下降37%，成為半導體市場中下降最大的細分領域。彼時幾傢存儲大廠集體經營虧損預估達破紀錄的50億美元，創下過去15年來最嚴重的低迷。存儲原廠相繼減產、降價、減少開支...，以應