近日，日本佐賀大學教授嘉數教授與精密零部件制造商日本Orbray合作開發出用金剛石制成的功率半導體，並以1平方厘米875兆瓦（87.5萬千瓦）的功率運行。該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次於氮化鎵產品的約2090兆瓦。
與作為新一代功率半導體的碳化矽(SiC)產品和氮化鎵(GaN)產品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能更出色，電力損耗被認為可減少到矽制產品的五萬分之一，同時耐熱性和抗輻射性也很強，因而被稱為終極功率半導體”。
金剛石帶隙寬度高達5.5eV，遠超氮化鎵、碳化矽等材料，載流子遷移率也是矽材料的3倍，在室溫下本征載流子濃度極低，且具備優異的耐高溫屬性。
當前，金剛石在半導體領域的應用越來越廣泛，全球各國都在加緊金剛石在半導體領域的研制工作，其中日本已成功研發超高純2英寸金剛石晶圓量產方法，其存儲能力相當於10億張藍光光盤（約為2500萬TB）。
全球天然金剛石年產量約為1.5億克拉，而人造金剛石產量則超過200億克拉，其中95%產量來自於中國大陸。
器無法處理這種形式的信息，即所謂的量子位。如果一切進展順利，這種設備可能會出現在亞馬遜旗下雲服務AWS所使用的網絡中。亞馬遜量子網絡中心的負責人Antia Lamas-Linares說：我們希望為AWS打造這些網絡，預計該技術將在幾
兩臺光刻機，但當時並未受到什麼關註；一年以後，國內半導體行業發生很大的變化，相關技術一再受到封鎖，同時行情火熱。於是，“劉翔賣光刻機”這一消息受到關註和熱議。“劉翔”賣ASML光刻機（圖源微博）那麼問題來
料之一，被稱為第四代半導體材料。該材料主要用於制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網、新能源汽車、光伏發電、5G移動通信、國防軍工等領域，均具有廣闊應用前景。6英寸非故意摻雜（上）與導電型
是其中的佼佼者。該公司已生產出數百個四英寸寬的合成金剛石晶片，厚度不到三毫米。他們的想法是用一層熱傳導性能極佳的人造金剛石取代傳統微芯片中的部分非活性矽。Diamond Foundry 公司首席執行官馬丁-羅斯柴森（Martin Ros
設計。一體式雙循環散熱系統通過獨特的空間結構創新，突破性地在一片VC 內實現兩套完整的循環散熱，並將兩套散熱循環真正結為一體，厚度更薄的同時還擁有更強的散熱能力，實現熱量的無損傳導。同時，一加從火箭發動機
等多種因素的影響下，越來越多的國傢和地區開始意識到半導體的重要性，就連美國也於7月28日正式通過“芯片和科學法案”。除此之外，日本、中國、印度、馬來西來、越南等亞洲國傢也紛紛加大芯片產業佈局，當然也包括存
官方強調，擁有四曲柔邊直屏的Reno12系列既是屏幕形態的終極答案，也是大屏手機手感的最優解。另外，Reno12系列采用金剛石架構，機身架構中使用OPPO自研的AM04稀土合金，材料抗彎折性能較上一代提升10%以上，讓機身加倍堅固
內存和256GB UFS 3.1極速閃存。此外，一加 ACE 競速版還配備金剛石8層散熱系統、超大面積液冷VC、金剛石導熱材料、超高密度石墨等散熱措施。同時，該手機還擁有側邊指紋識別功能。總結起來，一加 ACE 競速版是一款高性能遊戲
電能消耗，獲得更高的運行能力。矽基氮化鎵（GaN on Si）功率器件企業英諾賽科董事長駱薇薇近日在2022年ISES China峰會上表示，寬禁帶半導體不屬於先進工藝，對設備的依賴會小一點，其涉及的很多設備目前基本上可以在國內獲
，從而提高芯片整體供電性能，降低整體電阻，避免受到功率密度提升和電源電壓下降的影響。面對臺積電當時的風光，三星正苦苦追趕。為瞭搶在臺積電之前完成3nm研發，三星芯片制造工藝直接跳過4納米，從5nm上升到3nm。如
即將到來的美國新公司浪潮的最前沿，該法案正在尋求在半導體行業中分一杯羹，而該行業目前已由少數國際公司主導。但要想取得成功，Thintronics 及其同行必須克服一系列挑戰——解決技術問題、破壞長期的行業關系以及說服
1nm的道路可以謂是復雜又波折。產業界來看，這些學術的突破性進展並不一定能很快用於商業化的芯片生產。畢竟3nm芯片的良率似乎都還是一個問題。從3nm到1nm，摩爾定律如何延續，我們期待著更多的深入探索，以克服1nm技術所
放射治療的風險。薩裡大學在柔性 X 射線探測器方面取得突破性進展，這種探測器成本效益高，可模仿人體組織，與醫療和安全應用領域的傳統剛性探測器相比，具有重大進步。資料來源：薩裡大學薩裡大學領導這項研究的 Prabo
的新技術能讓人眼前一亮，也許當下無用，但未來能成為突破性的技術。比如知名半導體專傢施敏是閃存技術的發明人，他發明的非揮發性半導體存儲技術被廣泛應用於手機、筆記本電腦、IC卡、數碼相機及便攜式電子產品中。