韓國芯片制造商2月減產幅度為2008年以來最大，這一跡象表明，半導體需求下滑的程度和持續時間可能比人們擔心的要深。據韓國統計局的數據顯示，當地芯片產量較上年同期下降41.8%，比1月份33.9%的降幅更大；芯片庫存增加33.5%，工廠發貨量下降41.6%，這加劇持續疲軟的跡象。
據解，對於依賴貿易的韓國來說，芯片制造商是其經濟重要組成部分，約占2月份出口總額的12%。然而，全球芯片需求的惡化加劇韓國經濟面臨的挑戰，該國經濟上季度已經較前一季度出現萎縮。
對此，韓國政策制定者希望下半年經濟出現反彈，並繼續將重點放在半導體投資上，將其作為經濟增長的關鍵引擎。周四，韓國議會通過一項提振半導體產業的計劃，為企業提供稅收優惠以刺激投資。
當前，韓國芯片行業面臨的威脅包括地緣政治局勢加劇，以及潛在的經濟衰退，隨著各大央行不斷收緊政策以抗擊通脹，經濟衰退可能進一步並損害需求。同時，美國科技公司不斷增加的裁員也突顯出投資熱情的減弱。
另外，韓國2月份工業總產出較上年同期下滑8.1%，降幅超過調查預測的中值。周期性領先指數也比上月下降0.3%。
即將迎來至少自全球金融危機以來最低的單季利潤。這傢韓國芯片制造商將於周五披露3月季度的初步業績。分析師平均預計，該公司當季營業利潤將驟降約90%，至1.45萬億韓元（11億美元）。這將創下2009年以來的最低記錄。還有
韓國芯片巨頭三星電子於首爾時間4月7日（周五）公佈的初步業績顯示，由於芯片供過於求的情況惡化，且在全球經濟放緩的情況下，買傢放慢購買的速度，公司今年一季度營業利潤或大幅下滑96%。作為全球最大的存儲芯片和電
也帶來對用於AI服務器的DRAM及NAND Flash需求的增長。據《韓國經濟日報》報道，受益於ChatGPT的火爆，隨著市場對GPU需求劇增，三星、SK海力士的HBM芯片（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）贏得額外的訂單，成為目前存儲芯片下行
由於存儲芯片市場持續低迷，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士（SKHynixInc．）周三公佈創紀錄的季度運營虧損。不過該公司表示，各大存儲芯片制造商減產後，將從今年下半年開始改善市場狀況。這傢全球第二大存儲芯片
存和固態硬盤的價格在整個2022年全年下滑，然而，集體減產意味著這些設備的價格可能在今年年底觸底，因此希望利用廉價內存和存儲的用戶可能需要盡快囤貨。除固態硬盤和內存，全面的需求下降也影響電視、智能手機、Chrom
韓國統計廳周五公佈的數據顯示，韓國2月半導體產量環比下降17.1%，為2008年12月以來最大環比降幅，當時半導體產量驟降18.1%。與去年同期相比，2月半導體產量減少41.8%。韓國統計廳有關人士表示，從去年下半年開始，全球對存
上最糟糕的半導體行情已走出谷底。全球半導體大型企業韓國三星電子2024年1～3月時隔約2年以來首次實現營收和利潤雙增長。各企業減產導致庫存減少，同時生成式AI(人工智能)的新需求起到拉動作用。對於市場復蘇勢頭的持續
少，遠遠低於11萬8683億韓元的市場共識。圖源：韓聯社據韓國經濟新聞報道，受全球經濟蕭條的影響,半導體、智能手機、電視等配套部門的需求減少是三星電子業績不振的主要原因,尤其是占三星電子營業利潤70%的半導體(DS)部門
全球需求也將反彈”。就在三星發佈財報前一日，另一大韓國存儲芯片巨頭SK海力士發佈2023年第一季度財報，公司實現營收5.09萬億韓元，環比減少34%，同比下降58%；凈虧損約2.59萬億韓元，前一季度凈虧損約3.72萬億韓元，連續兩
年三星半導體部門甚至有可能出現赤字。現在，是否考慮減產和減少投資也備受關註。盈利能力越來越差從三星電子6日公佈的2022年業績來看，年銷售額比前一年增加7.9%，達到301.7萬億韓元。這是該公司成立以來首次突破300萬億
示全球電子產品需求持續疲軟。據計算，這傢全球最大的芯片代工制造商第一季度收入為5086億元新臺幣，低於分析師平均預期的5255億元新臺幣。臺積電表示，3月份銷售大幅放緩是業績下滑的原因之一：3月份銷售額同比下降15%
據《韓民族新聞》23日報道，美國科技企業針對韓國三星電子的知識產權侵權案件終審判決出爐，三星電子被罰3.03億美元（約合4000億韓元）。對此，韓國媒體十分不滿，“三星電子一季度僅掙6000億韓元，卻要向美國繳納4000億韓
計全年將崩盤大跌約22%。此前，《經濟學人》雜志則以“芯片制造商在經歷渦輪增壓式的榮景，是否會陷入超大規模的蕭條？”為題撰文，稱芯片的“供不應求”已經反轉為“供應過剩”。花旗集團分析師Christopher Danely則稱，市
爭下尋找平衡、雙贏以及“共同點”。2022年9月7日，距離韓國首爾70多公裡的京畿道最南端，三星電子（005930.KS) 正式啟動世界最大規模的半導體生產基地——平澤園區3號線 (P3）設施，這裡生產著14nm DRAM和超高容量V NAND芯片、5nm