這一代的NVIDIA GPU，在數據中心和遊戲顯卡，分別采用Hopper和Ada Lovelae兩套核心架構。按慣例，下一代會按照兩年的周期進行更迭。
日前，在Arete技術大會上，NVIDIA副總裁、數據中心業務總經理Ian Buck確認會在2024年推出Hopper繼任者的消息。
根據爆料，取代Hopper的下代GPU代號Blackwell。在此之前，外界就曾挖到名為GB100和GB102的新核心，算是比較有力的證據。
據稱NVIDIA正與臺積電協作，致力於采用3nm工藝節點來制造Blackwell GPU。
從規格上來看，當前的Hopper的計算密度比RTX 4090還要高，下一代Blackwell肯定會更加強力。稍稍遺憾的是，到底RTX 50系顯卡的新GPU會選用哪位科學傢代號，還是個謎。
資料顯示，David Harold Blackwell（戴維佈萊克維爾）是美國科學院首位黑人院士，加州大學伯克利分校首位黑人終身教授，一位傑出的數學傢、統計學傢，2010年去世。
就有坊間傳言NVIDIA正在驗證RTX50系原型樣卡，GPU芯片代號Blackwell。日前，爆料大神RedGamingTech搶先分享RTX 50系顯卡或者說Blackwell GPU的部分細節。他指出，新一代遊戲顯卡（如GB102）依然是單GPU芯片設計，單服務器/數據中心產品則
近期出現有關英偉達下一代GeForceRTX50系列的新傳言，預計將采用Blackwell架構GPU。以往一直有消息稱，Blackwell接替的是Hopper，對應的是GB100，不過似乎還會有面向消費市場的GB102。去年的Arete技術大會上，英偉達副總裁兼加速計算首
技9月26日消息，NVIDIA將在明年推出采用臺積電3nm級工藝的下一代高性能計算GPU Blackwell GB100，以及下一代加速卡B100。NVIDIA現有的GH100 GPU使用的是臺積電4nm工藝，而且是定制版。臺積電3nm有多種版本，包括性能增強版N3P、高性能計
NVIDIA首次發佈其下一代BlackwellB100GPU的性能預告，2024年其性能將是HopperH200的兩倍多。在SC23特別演講中，英偉達（NVIDIA）預告其代號為Blackwell的下一代GPU的性能，該GPU將於2024年首次亮相，其AI性能將是HopperGPU的2倍以上。使用的GPU
產力的演變流程，最後一項正是今天的重點！改變形態的Blackwell GPU沒錯，老黃在GTC宣佈推出新一代GPU Blackwell。這裡先介紹一下Blackwell架構，此前NVIDIA推出的顯卡一般是兩種架構，其中遊戲顯卡例如我們熟悉的RTX 40系則是Ada Lovela
到，RTX5090顯卡將比RTX4090快60%到70%。該卡基於即將推出的Blackwell架構，預計將於2024年底發售。消息人士還表示，AMD不會發佈高端顯卡與之抗衡，因為在這個性能層面，他們還沒辦法發起有實力的挑戰。之前的消息還是顯示，英偉
藝，屬於第一代3nm，據說還是獨享。AMD Zen5處理器、NVIDIA Blackwell也都會上臺積電3nm，三星Exynos 2500則會使用自傢的第二代3nm GAA，集成AMD RDNA3 GPU架構。
發科在內的TOP大客戶，均推遲采用3nm的計劃，NVIDIA的代號Blackwell的RTX 50系列以及專業級圖形GPU甚至要等到2025年。這些廠商一方面是礙於臺積電3nm高昂的成本，一方面也被己方難以清場的庫存所困擾，以NVIDIA為例，分析師稱去年
uot;Blackwell"系列人工智能GPU才剛剛開始出貨，其下一代架構已經呼之欲出。新架構的代號為"Rubin"，以維拉-魯賓（VeraRubin）命名，它將為英偉達未來的人工智能GPU提供動力，在性能上實現跨時代的飛
英偉達（NVIDIA）本周在GTC2024大會上發佈下一代BlackwellGPU平臺。然而，該公司對即將推出的基於相同技術的消費級GPU卻隻字未提，這讓許多玩傢大為失望。不過，一位著名的泄密者填補一些空白，提供有關GB202GPU的關鍵細節，該GPU
oC及IOE等多個模塊。14代酷睿的CPU模塊采用Intel自己的Intel4工藝生產，GPU模塊則是臺積電5nm工藝，其他部分則是臺積電6nm工藝。之後的15代酷睿代號Arrow Lake，預計在2024年上市，也會采用3D Foveros封裝，隻不過CPU模塊會升級Intel 20A工
功耗在300-350W之間。按照之前的說法，RTX 50系列架構代號Blackwell，該架構既用於AI計算卡B100，也用於遊戲卡，但優先級顯然前者更高，據說發佈時間已經從原計劃的2024年第四季度提前到第二季度。Blackwell架構的RTX 50系列將采用臺
英偉達還將堅持使用16Gbit密度的GDDR7內存芯片，這意味著下一代產品的內存大小可能基本保持不變。28 Gbps GDDR7 內存芯片的帶寬將比 18 Gbps GDDR6 高 55%，比 21 Gbps GDDR6X 高 33%。英偉達為其各個 SKU 選擇的內存總線寬度還有待觀察。英
晶圓代工廠，除穩產多年的7nm及5nm之外，今年還要量產3nm工藝，然而現在的形勢不一樣，臺積電3nm工藝今年到明年可能隻有一個客戶敢用，那就是蘋果。臺積電副總8月份說過他們會在9月份量產3nm工藝，隻不過上周的財報會議上