傳iPhone 16將采用LPDDR5X內存和基於臺積電3納米工藝的A18仿生芯片

會有小的變化。一份報告稱，兩年後推出的所有機型都將采用臺積電的3納米芯片。臺積電方面未來將有各種3納米制程的計劃，價格較低的iPhone16機型可能在2024年使用第一代3納米芯片。《經濟日報》查閱到一份來自摩根士丹利的

換需求較大。正如我們最近聽到的，普遍預計蘋果今年將采用臺積電的3納米技術以用於A17仿生芯片，該芯片可能為iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max機型提供支持。第一代3納米工藝（也稱為N3）據說比臺積電基於5納米的N4制造工藝提高35

有 80000 到 100000 納米寬。去年，蘋果公司的 iPhone 和 Mac 采用 3 納米芯片，比之前的 5 納米模式有所升級。改用 3 納米技術後，iPhone 的 GPU 速度提高 20%，CPU 速度提高 10%，神經引擎速度提高 2 倍，Mac 也有類似的改進。蘋果公司被

蘋果公司目前采用臺積電的3nm工藝制造其幾款芯片，並且可能會在幾代iPhone中堅持使用這種制造工藝。根據最新報道，iPhone17將不會是首款采用尖端2納米節點制造的A系列SoC的產品。這意味著預計在2025年推出的A19Pro將維持使用3納

15 Pro系列的A17 Pro芯片，蘋果後續的多款A系列芯片，都將采用3納米制程工藝代工。分析師預計，iPhone 16系列將搭載A18和A18 Pro芯片，都將由臺積電采用N3E制程工藝代工。N3E是臺積電第二代的3納米制程工藝，與第一代N3B相比，成本

然而，如果郭分享的最新信息是準確的，那麼第一批配備基於臺積電3納米工藝的芯片的蘋果設備將在明年某個時候才會發佈。除未來的Mac和iPad之外，明年的iPhone 15 Pro中的A17仿生芯片也有望是3納米芯片。

臺積電最新一代N3E工藝制程打造，此前量產的A17 Pro首發采用的是臺積電N3B工藝。業內人士稱，臺積電N3B的良率和金屬堆疊性能很差，基於這些原因，N3B不會成為臺積電的主要節點。相比之下，N3E將使用更少的EUV光刻層，從25層縮

“謊報”的行為，兩傢領先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背後，也意味著晶體管微縮技術發展的放緩。許多人偶爾會謊報自己的

佈已經實現3nm工藝的量產。2022年六月，三星宣佈已開始采用環柵 (GAA) 晶體管架構的 3 納米 (nm) 工藝節點的初始生產。其中用到的多橋通道 FET (MBCFET  ) 是三星首次采用的 GAA 技術，該工藝突破 FinFET 的性能限制，通過降低電源

個晶體管，內含6個 CPU核、5個GPU核，16個Neural Engine，采用LPDDR5X存儲器，帶寬增加 50%，蘋果雖未提及與上一代A15 Bionic的對比，但指出A16 Bionic比對手快40%。字面上我們解到的就是這些，隨著iPhone 14系列即將上市（搭載A16芯片的隻

s 7、Apple Watch Series 8、Apple Watch Ultra和第二代Apple Watch SE都采用完全相同的CPU。值得註意的是，蘋果可能仍然對SiP的其他部分進行迭代，以適應新的組件，如Apple Watch Series 8的新加速計和陀螺儀。S6、S7和S8芯片都具有32GB的存儲空間

正如我們最近一直聽到的那樣，蘋果被廣泛預計將在今年采用臺積電的3納米技術制造 A17 Bionic 芯片，該芯片很可能驅動 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 型號。據稱，第一代 3納米工藝（也稱為 N3）比臺積電用於制造 iPhone 14 Pro 和 Pro

藝而言，技術歸技術，該先進還是先進。拋棄FinFET，首次采用GAA技術相比於傳統芯片采用的“FinFET”技術而言，三星采用的“GAAFET”技術明顯占據優勢。“FinFET”技術已經在芯片上使用瞭將近10年時間，它幫助芯片完成瞭從28納

果的訂單將增加50%。這很可能是因為蘋果今年的幾款SoC將采用這種尖端制造工藝批量生產。今年將有更多 iPhone 機型采用 3 納米芯片組，據說蘋果公司將在今年晚些時候推出 A18 和 A18 Pro。除采用下一代"N3E"工藝量產外，據