RISC-V已經成為繼x86、ARM之後冉冉升起的第三大CPU架構，盡管此前試圖收購RISC-V內核公司SiFive的努力失敗，但Intel找到新的辦法來靠近RISC-V，那就是投資以及代工芯片。日前，Intel和SiFive宣佈合作研發RISC-V架構芯片的開發板HiFiveProP550，芯片將基於Intel4工藝打造。
所謂的Intel 4就是此前的7nm，工藝指標對照臺積電、三星的4nm。
Intel 4今年還會用在14代酷睿Meteor Lake移動版處理器上，這也是Intel首次使用EUV光刻的工藝，SRAM晶體管規模幾乎接近臺積電3nm工藝。
開發板的主芯片為Intel Horse Creek SoC，四個SiFive P550性能核心，兼容RISC-V RV64GBC指令集，頻率2GHz+，2MB共享三緩，支持16GB DDR5-5600、PCIe 5.0、萬兆網口、M.2 2280 SSD等。
板子尺寸244 x 244 mm，也就是microATX規格。
按計劃，開發板將於今年夏天和外界正式見面。
處理器，基於高性能P550內核，該公司是全球開源處理器RISC-V的IP授權龍頭公司，地位相當於移動芯片中的ARM公司。今年2月份，SiFive公司宣佈與Intel達成合作協議，將會基於Intel 4工藝開發Horse Creek平臺處理器，產品預計在2022年上
特爾宣佈開發HorseCreek平臺，與SiFive合作開發新的高性能RISC-V開發系統，作為該公司英特爾代工服務（IFS）的一部分，並努力促進RISC-V的采用。據稱，這些開發板是SiFive自己的HiFive開發板的延續，旨在發展RISC-V生態系統和加速原
Intel近日宣佈，關停Tofino網絡交換機芯片、RISC-V Pathfinder(探路者)兩個項目，這已經是帕特基辛格就任Intel CEO兩年來砍掉的第八個和第九個業務。我們知道，RISC-V一直被視為x86、Arm之外最有潛力的第三大CPU架構，得到全行業的青睞
on V2的原因。據Ventana 營銷和產品副總裁 Travis Lanier介紹，全新的Veyron V2將融入RISC-V規范中的所有更新，比如RVA23功能集，這是今年的RISC-V最新的指令集配置文件，實現RISC-V輸入輸出內存管理單元（IOMMU）規范，同時還支持小芯片
組x16)、CCIX 1.0互連總線、USB 2.0、雙千兆網絡，集成自研RISC-V架構協處理器，用於安全啟動和管理。性能方面，根據官方說法，綜合SPEC2006 CPU Integer、Coremark、Whetstone、7Zip、HPLinkpack等多項成績，可媲美Intel 2017年發佈、Skylake架構的
的延遲，而GPU是對延遲極其敏感的，所以AMD特意為此開發全新的Infinity Link總線（即 Infinity Fanout Links 系統）來連接GDC和MCD部件，從而在GCD和MCD小芯片部件之間實現5.3 TB/s的帶寬，這種超級先進的互連系統無疑是小芯片GPU設計的關
4nm工藝打造，采用一個最高主頻達到3.2GHz的Cortex-X3的超級內核CPU、四個最高主頻2.8GHz的性能內核、三個最高主頻2.0GHz的A510效率內核，整體性能提升35%，能效提升40%。GPU方面，第二代驍龍8的Adreno GPU性能提升25%，能效提升45%。
於臺積電16FFC工藝制造，面積為607mm2，具有48個Arm Cortex-A75內核，主頻為2GHz，120W TDP。在這顆SoC上有12個計算群集，每個群集包含四個內核和四個512 KB 的 L3 緩存塊。每個內核都包含自己的 512 KB L2 高速緩存和兩個 64 KB 的 L1 高速緩
面對的最大問題，特別是在3nm制程節點上，三星率先引入全新的GAA架構晶體管，與以往使用的FinFET晶體管有較大區別，也使良率問題進一步放大。據Notebookcheck報道，目前，三星的3nm工藝良率在50%附近徘徊，依然有一些問題需要
構、Chiplet小芯片封裝、LGA4677接口，官方稱將擁有極高的內核性能，同等功耗范圍內實現更高的能效，並繼續內置加速器，為特定工作負載進行優化。Intel還現場展示Emerald Rapids的芯片、晶圓樣品，可以看到當前四代至強(Sapphire Ra
，且付出的成本可能也大於收益。因此，三星設計瞭一種全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），采用多層堆疊的納米片來替代GAAFET中的納米線。這種納米片設計已被研究機構IMEC當作FinFET 架構後續產
也隻有蘋果一傢，主要用於生產桌面版的M3及移動端的A17處理器。至於其他半導體公司，Intel已經退出首發3nm工藝的爭奪，明年的14代酷睿的GPU模塊用的還是臺積電5nm工藝。AMD今年及明年的產品不是5nm工藝就是改良版的4nm工藝，3nm
體驗。持續耕耘可穿戴設備平臺的高通，今天也正式推出全新一代芯片平臺，並且和智能手機移動平臺一樣，啟用全新的命名方式：第一代驍龍W5+、第一代驍龍W5。高通的可穿戴平臺已經發展5年多，得到小米、OPPO、小天才等75個
、x86分別占據移動、高性能計算市場不同，第三大CPU架構RISC-V目前主要用於各種低功耗平臺，HPC高性能計算中甚至不被看好，但還是有人不甘心的，初創企業Ventana Microsystems公司偏要正面剛一把，推出5nm工藝打造的192核RISC-V平臺