32Gb、400MB/s帶寬 江波龍首顆自研2D MLC NAND Flash閃存發佈

問世。該產品采用BGA132封裝，支持ToggleDDR模式，數據訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用於eMMC、SSD等產品上，比如自傢的雷克沙SSD。據介紹，江波龍近年來在存儲芯片的自主研發投入大量的精力和資源，引進一批具備超過20年存儲

的新款存儲設備采用Phison E26控制器，可以訪問3D三層單元閃存（TLC）模塊。3D TLC閃存是一種NAND閃存，每個數據單元存儲三個比特。這種閃存還有X3、MLC-3和3bit-MLC等名稱。3D TLC閃存模塊最常見的用途是消費類固態硬盤、手機存儲

由於成本更低，近年來閃存逐漸過渡到TLC、QLC類型，隻不過這些閃存的性能及可靠性是不如SLC、MLC的，後者寫入壽命可達5000次甚至1萬次以上，好在鎧俠日前推出第二代XL-Flash閃存，這次就增加MLC，有望大幅提升容量。鎧俠的XL-Fl

到驚人的14.1GB/s，基本已經吃滿PCIe 5.0 x4通道的全部有效帶寬，相比上代PCIe 4.0 產品提升近23％。不過，CM7作為一款面向讀取密集型的產品，順序寫入速度有點慢，雖然比上代提升多達48％，但也隻做到7.1GB/s。同時，隨機讀寫速度

t MLC閃存，緩存為三星2GB（1GB）低功耗DDR4 SDRAM，配備三星自研主控，待機功耗最大55mW（50mW），平均功耗5.5W（5.4W），最大8.5W（7.8W）。可靠性方面，提供5年質保，1TB對應600TBW，換算後也就是每日可全盤寫入0.33次。至於售價，該S

除自研的ARM/RISC-V體系處理器之外，俄羅斯也在提升SSD主控芯片的國產化，日前在Innoprom2022國際工業展上，俄羅斯公司Kraftway公開自研的SSD主控芯片K1942VK018，這是一款PCIe4.0主控。K1942VK018主控采用的內核也有所不同，不是ARM而是開

小米13系列、三星Galaxy S23系列等。據解，UFS 4.0的每通道帶寬速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的兩倍。基於三星的第七代V-NAND閃存和自研主控，實測連續讀速可達4200MB/s、連續寫速可達2800MB/s。可做對比的是，目前業內性能最好的三星512G

俄羅斯供應商Kraftway在Innoprom2022上展示該公司采用其自研主控芯片K1942VK018的最新的ASICv1和ASICv2SSD。這是一款PCIe4.0主控。Kraftway表示，K1942VK018是臺積電28nmHPC+制造工藝的產品，擁有8個內存通道。此外，還支持 ONFI 4.0、軟 LDPC 解碼

韓國SK海力士（SKHynix）已經開發出238層NAND閃存芯片，它可以用於PC存儲設備、智能手機和服務器。上周美光也開始出貨232層NAND閃存芯片。SK海力士宣稱新的238層芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度相比上代產品提升50%，讀

傢至少看到第二部分。比心！科普存儲卡、固態硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲介質，而閃存顆粒本身是有擦寫次數限制的（即寫入壽命）。為平衡閃存顆粒不同區塊（block）的磨損程度，延長使用壽命，就需要借助一些

臺式機、一體機等設備。它支持PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4，讀寫帶寬5.5GB/s，動態功耗低於4W，PS4待機功耗低於2mW。可靠性和數據保持能力方面也足以媲美TLC閃存，比如說平均故障間隔時間達200萬小時，可以在30℃環境下穩定保存數據1年

，以供他們將其封裝成相應的存儲模組產品。比如國內的江波龍和佰維存儲等廠商都有采購美光的存儲晶圓或芯片，再整合相應的存儲控制權，來設計和制造自有品牌的存儲模組產品。所以，此番中國網信辦對於美光在華銷售產

為固態存儲設備設計和銷售NAND閃存控制器的SiliconMotionTechnologyCorporation（"SiliconMotion"慧榮）今天宣佈推出SM2268XT，這是其最新的高性能PCIeGen4SSD控制器解決方案，為更高速度的NAND傳輸率進行優化。SM2268XT采用雙

錄的第七代238層3D NAND進行比較。新的第八代3D NAND公佈的帶寬數據最大為194 MB/s，與舊型號的164 MB/s形成鮮明對比，意味著性能增加18%。記錄密度也得益於300多個活性層的設計，SK海力士提到1TB（128GB）的容量，三層單元和超過20GB/