英特爾在為高性能計算機的新時代制造量子芯片方面已經超越一個關鍵的裡程碑。在英特爾位於俄勒岡州希爾斯伯勒的戈登·摩爾晶體管研發機構，實驗室和組件研究部門宣稱已經為矽自旋量子比特設備的EUV生產，或極紫外光刻技術建立最高的成果記錄，這意味著英特爾離量子芯片的生產又近一步。
該公司的工程師和研究人員生產的量子芯片具有非凡的"均勻性"，在整個300毫米的矽晶圓上產生95%的有效產量。
量子硬件總監James Clarke討論他的公司在利用現有晶體管制造技術制造矽自旋量子比特方面的進展。英特爾利用其半導體制造能力對該公司在該行業的發展至關重要。預計該公司的矽芯片精制實例將被應用於英特爾的先進量子計算。
"......實現的高產量和均勻性表明，在英特爾既定的晶體管工藝節點上制造量子芯片......"
- 詹姆斯-克拉克，英特爾量子硬件總監
在最新的博客文章中提及稱第二代矽自旋測試芯片的測試和生產創造關於該公司在量子芯片制造方面的進展。英特爾的新量子設備是使用Cryoprober進行采樣的，在1.7開爾文，或-271.45°C的淺層溫度下運行，以保持量子比特的彈性，也允許它們在這種條件下用於計算和利用。
英特爾將繼續開展"室溫量子計算機"的工作，這是英特爾在新興發展領域的又一個挑戰。
Cryoprober驗證該公司百分之九十五的量子比特封裝芯片被正確處理，這對英特爾來說是非常好的消息，因為大多數量子芯片生產工作都是單一地制造設備，其EUV工藝現在有資格在一塊晶圓上制造許多量子芯片，產生相當高的成果。
隨著該公司第二代矽自旋測試芯片的完成，英特爾將利用統計過程控制來進行優化，收集已經達到的進展來瞄準下一代量子芯片。該公司和其他公司面臨的挑戰是有能力制造充滿數百萬個量子比特的量子芯片，這在整個行業中目前仍處於早期階段。