據華工科技激光半導體產品總監黃偉介紹，半導體晶圓是一種硬脆材料，傳統激光在切割時會產生較大的熱影響和崩邊寬度，而華工科技的激光切割設備可以實現更細小的切割線寬，約為20微米，相比傳統激光的10微米左右有明顯的改進。
切割線寬的減少意味著晶圓可以實現更高的集成度，從而提高半導體制造的經濟性和效率。
這項技術突破將對我國半導體行業的自主可控能力提升起到積極的推動作用，減少對進口設備的依賴，提升我國半導體制造業的競爭力。期待這一成果能夠為我國半導體產業的發展貢獻更多的技術力量。
100%國產化 中國首臺芯片激光切割設備公佈
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