RTX 40顯卡的“4N”工藝是什麼?定制臺積電5nm


之前傳聞顯示,RTX40系列將采用臺積電4nm制造工藝,而在正式發佈的時候,官方標註為“4N”,和臺積電說的“N4”正好反過來。這是什麼鬼?我們的第一反應,是這屬於定制版的臺積電4nm,結果隻猜對一半。據解4N工藝確實是NVIDIA與臺積電定制的,但並非4nm,而是5nm,所以完整說法應該是臺積電4N5nm工藝。

這也再次證明,臺積電的4nm、5nm工藝並無本質區別,前者主要是提高晶體管集成度。當然,總要比RTX 30系列的三星N8 8nm強太多。

按照黃仁勛的說法,憑借新的架構和工藝,RTX 40系列的能效是RTX 30系列的兩倍。

數據顯示,Ada Lovelace架構的大核心AD102集成763億個晶體管,核心面積608.4平方毫米,密度為1.255億個/平方毫米,內置18176個CUDA核心、142個第三代光追核心、568個第四代張量核心。

相比之下,三星8nm Ampere GA102核心是283億個晶體管、628平方毫米,密度為4510萬個/平方毫米。

換言之,臺積電4N的集成密度是三星N8的足足2.8倍!

(還是有廠商誤寫作4nm)


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