在與五角大樓簽署第一階段"快速保證微電子原型RAMP-C計劃"兩年半之後，英特爾又加深與國防部的合作關系。英特爾、五角大樓以及由《CHIPS法案》資助的國傢安全加速器計劃現已同意合作生產隻能在歐洲或亞洲制造的先進芯片制造工藝的早期測試樣品。
這傢芯片制造商今天早些時候表示，有 RAMP-C，美國政府將能夠首次獲得領先的芯片制造技術。
RAMP-C 計劃的第三階段將涵蓋英特爾未來的 18A 制造工藝制造的原型。這些高端芯片制造工藝通常用於消費類處理器，因為它們在運行計算和圖形重型應用時需要耗費大量電能。
為國傢安全應用制造 18A 芯片是英特爾與其 DIB（國防工業基地）客戶合作的一部分。這些客戶包括承包商諾斯羅普-格魯曼公司（Northrop Grumman）和波音公司（Boeing），以及微軟（Microsoft）、英偉達（NVIDIA）和國際商業機器公司（IBM）等消費企業。
該技術是英特爾的下一代工藝節點，根據公司高管此前的聲明，其前身（即 20A 工藝）應於 2024 年投入生產。去年年底，英特爾公司首席執行官帕特裡克-蓋爾辛格（Patrick Gelsinger）透露，18A 工藝已提前實現量產。
與此同時，英特爾還發佈一份2022年12月的路線圖，兩個月後，英特爾又發佈另一份路線圖，詳細說明18A工藝可在2024年下半年實現風險生產（或英特爾所稱的制造準備就緒）。RAMP-C合同的第三階段強調英特爾18A工藝技術、知識產權（IP）和生態系統解決方案，為大批量生產（HVM）做好準備。
蓋爾辛格還宣傳英特爾 18A 芯片卓越的電源管理能力，將其與臺灣半導體制造公司（TSMC）的 2 納米技術相提並論。繼Intel 3工藝之後，英特爾的芯片工藝技術術語已轉向埃米級。
這意味著，純粹根據其營銷名稱進行比較，18A 芯片工藝相當於 1.8 納米。在芯片制造中，越小越好，因為更小的電路能夠提高導電性和性能吞吐量。現代芯片在極小的空間內擠下數十億個晶體管，與前代產品相比，可以處理更多的數據。
作為今天發佈會的一部分，國防部微電子工程負責人 Dev Shenoy 博士評論說，五角大樓預計"在 2025 年展示英特爾 18A 芯片的原型生產"。英特爾代工廠 RAMP-C 的第三階段將集中於芯片設計的敲定。這是設計流程的最後階段，工程師們將完成流程中的概念部分，並將工作轉向在生產流程中指導先進芯片制造設備的掩模。
本月早些時候，英特爾公司首次開啟世界上最先進的芯片制造設備。這些被稱為高 NA EUV 的機器將簡化設計流程，從而縮短芯片制造時間。