AMD 3D V-Cache RAM的讀寫速度分別超過182和175GB/s


AMD的3DV-Cache技術利用堆疊在CPU內核所在的CPU邏輯芯片頂部的SRAM塊,允許處理器訪問大量緩存池以進行應用。不過,將這種額外的三級(L3)緩存用作內存盤似乎也是可行的,L3SRAM的行為類似於存儲驅動器,不過測試中隻有將L3暴露在CrystalDiskMark基準下才有可能做到這一點,而現實世界中的應用程序則無法以CrystalDiskMark的方式做到這一點。

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根據 X/Twitter 用戶 Nemez(@GPUsAreMagic)的說法,復制此程序的步驟如下: 獲取帶有 3D V-Cache 的 AMD Ryzen CPU,安裝 OSFMount 並創建一個 FAT32 格式的 RAM 磁盤,然後運行 CrystalDiskMark,將值設置為 SEQ 256 KB、隊列深度 1、線程 16,數據填充為 0 而不是隨機。

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實驗結果看起來相當驚人,因為 L3 SRAM 的特性是內存很小,但速度非常快,CPU 可以訪問,因此它可以在進入系統 RAM 之前幫助本地加載數據。使用 AMD Ryzen 7 5800X3D,該內存盤的讀取速度超過 182 GB/s,寫入速度超過 175 GB/s。在阿爾伯特-托馬斯(@ultrawide219)分享的另一項測試中,我們看到基於 AMD Ryzen 7800X3D V-Cache 的 RAM 磁盤,讀取速度超過 178 GB/s,寫入速度超過 163 GB/s,得分稍低。同樣,CrystalDiskMark 僅在 16 MiB 和 32 MiB 之間的小分配上進行這些測試,因此實際工作負載還無法使用這些測試。


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