今天,基於M.2的NVMe固態硬盤的主要問題之一是它們的發熱,其中大部分運行如此熱的原因是它們的制造節點。目前大多數PCIe4.0NVMeSSD控制器是在某種12納米節點上制造的,但我們現在有SiliconMotion的SM2504XTPCIe5.0NVMeSSD控制器的細節,它似乎是第一批在7納米節點上制造的類似產品。
雖然沒有具體提到Silicon Motion的制造夥伴是誰,但它很可能是臺積電,因為Silicon Motion是一傢臺灣公司。
SM2504XT采用主流4通道控制器設計,但它將支持額定速度高達3600MT/s的NAND閃存,這比目前宣佈的任何其他NVMe SSD控制器都要高。SM2504XT 還支持NVMe 2.0協議,提供PCIe 5.0 x4主機系統接口。
這款新的控制器預計將在今年9月的某個時候推出。