迄今為止，驍龍8Gen3的一系列功能給人留下深刻印象，這些功能主要集中在CPU和GPU性能的提升，以及對硬件加速光線追蹤、人工智能等的支持。然而，高通公司的最新SoC要想在與Galaxy的驍龍8Gen2的競爭中取得可觀的優勢，就必須提高其最大功耗，這反過來又對其效率產生負面影響。讓我們看看最新的細節和性能結果。
與 Galaxy 的驍龍 8 Gen 2 一樣，驍龍 8 Gen 3 也采用單個高性能核心，但今年高通另辟蹊徑，提高所有 Cortex-A720 核心的時鐘速度，這將有助於提升 SoC 的多核性能。遺憾的是，X網友Golden Reviewer在搭載驍龍8代3的小米14 Pro上進行SPECint06大核基準測試，發現雖然後者獲得69.28分，比超頻後的驍龍8 Gen2的60.86分高出13%，但卻是以功耗大大提升為代價的，後者的功耗達到6.27瓦。
這一數字比 Galaxy 8 代驍龍 2 的功耗高出 28%，最高功耗為 4.90 瓦，每瓦性能得分高於驍龍 8 Gen 3。
這樣一來，普通版驍龍 8 Gen 2 的能效甚至比驍龍 8 Gen 3 更高，這暗示高通公司今年堅持使用臺積電的 4 納米"N4P"工藝可能已經達到極限，不得不通過提高功耗來彌補性能差異。這些變化會導致溫度升高、電池續航迅速縮短以及其他不利因素。